SK HYNIX海力士 DDR4 RDIMM REG RECC服務(wù)器內(nèi)存條
型號(hào):DDR4
高密度模塊SK海力士開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)用于處理大數(shù)據(jù)的高密度(128 256GB)RDIMM和LRDIMM模塊。我們基于 256ynm 16Gb DDR4 的 256GB RDIMM 和
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產(chǎn)品描述
高密度模塊
SK海力士開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)用于處理大數(shù)據(jù)的高密度(128/256GB)RDIMM和LRDIMM模塊。我們基于 256ynm 16Gb DDR4 的 256GB RDIMM 和 LRDIMM 支持穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸,速度在 10W 時(shí)達(dá)到 3,200Mbps,這是業(yè)界最低的功耗預(yù)算。
以?xún)?nèi)存計(jì)算為目標(biāo)
除了具有通用應(yīng)用基本容量的 RDIMM/LRDIMM 模塊外,SK 海力士的高密度模塊還提供內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)、緩存和實(shí)時(shí)大數(shù)據(jù)分析所需的更快處理速度和更大內(nèi)存。
我們的產(chǎn)品包括基于 128xnm 16Gb DDR4 技術(shù)的 1GB RDIMM/LRDIMM,現(xiàn)在緊隨其后的是 256GB RDIMM/LRDIMM,它通過(guò)下一代 1ynm 16Gb DDR4 將密度提高了一倍。

3DS 4Hi 技術(shù)
3DS TSV(硅通孔)技術(shù)用于垂直互連 DRAM 芯片,降低模塊封裝高度,同時(shí)提高數(shù)據(jù)傳輸速度,而不是傳統(tǒng)的引線鍵合。

業(yè)界最低的功耗
我們的 256GB DDR4 RDIMM 功耗約為 8.5W,LRDIMM 功耗約為 10.5W,這都是高密度模塊市場(chǎng)上最具競(jìng)爭(zhēng)力的水平。
規(guī)程參數(shù)




